Name: Float-Zone (FZ) Hochohmige Silizium-Substrate
SKU: IGN-B10

IGN-R03

Managed AI Services — Premium Wartungsvertrag

Dedizierte AI-Engineering-Kapazitäten, kontinuierliche Prompt-Optimierung, maßgeschneiderte Modell-Feinabstimmung und garantierte 1-Stunden-SLA.

IGN-A01

Raffinierte Kupfer-Kathoden Grade A (EN 1978 Cu-ETP 99,99 %)

Raffinierte Kupfer-Kathoden — Spezifikationsanfrage. Reinheit, anwendbare Norm, Menge und Chargendokumentation angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A02

Hochleitfähige sauerstofffreie Kupfer-Stromschienen (800A+)

Hochleitfähige sauerstofffreie Kupfer-Stromschienen nach Zeichnung. Querschnitt, Oberflächenveredelung und Losgröße auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A04

TALOS Nahtlose Deoxidierte Cu-DHP Flüssigkühlleitungen

Nahtlose deoxidierte Kupferrohre mit hohem Phosphorgehalt (Cu-DHP) für Direct-to-Chip-Kühlkreisläufe. Außendurchmesser und Wandstärke auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A06

Hochreines Primäraluminium-Massel (P1020A 99,7 %)

P1020A primäre unlegierte Aluminium-Masseln (mind. 99,7 % Al) zum Umschmelzen und Präzisionsgießen. Tonnage und Lieferort auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A07

Struktur-Aluminiumlegierung 7075-T6 für Luftfahrt & Robotik

Hochfeste Struktur-Aluminiumlegierung 7075-T6 nach Zeichnung. Halbzeugform, Abmessungen, Toleranzen und Abnahmeprüfzeugnisse angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B01

Ultra-reines Gallium-Metall 6N (99,9999 % Reinheit)

Ultra-reines Gallium-Metall (99,9999 % 6N) für die Halbleiterepitaxie (GaAs, GaN). Vakuumversiegelte Gebinde und Analysezertifikat (COA) inklusive. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-D01

Synthetischer sphärischer Batterie-Anodengraphit

Hochreiner synthetischer Graphit mit sphärischer Partikelmorphologie für Lithium-Ionen-Batterieanoden. Spezifische Oberfläche und Korngrößenverteilung angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-D02

Batteriefähiges Lithiumhydroxid-Monohydrat (56,5 % LiOH)

Batterie-Grade Lithiumhydroxid-Monohydrat (mind. 56,5 % LiOH) mit extrem niedrigen Verunreinigungsgraden für NMC- und NCA-Kathodenchemie. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A03

Kupfer-Walzdraht & Hochtemperatur-Wicklungen

Hochleitfähiger kontinuierlich gegossener Kupferwalzdraht für Motor- und Aktuatorwicklungen. Durchmesser, Härtegrad und Volumen auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A05

Direct-to-Chip 316L Edelstahl-Mikrokanal-Kühlplatten

Präzisions-Mikrokanal-Flüssigkeitskühlplatten aus Edelstahl 316L für Hochwärme-Elektronik. Konstruktion und Fertigung nach Zeichnung. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-A08

Hochreine Aluminium-Barren & Bleche 6061-T6

Präzisions-Aluminiumlegierung 6061-T6 für Strukturrahmen und Kühlkörper. Form, Abmessungen und Oberflächenbehandlung auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B02

Gallium-Metall 4N (99,99 % Elektronikqualität)

Elektronikfähiges Gallium-Metall 4N (mind. 99,99 % Reinheit) für Legierungen, Target-Herstellung und Synthese. Gebindegröße und Menge auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B03

Galliumnitrid (GaN) Epi-Wafer (6-Zoll / 8-Zoll)

GaN-auf-Si und GaN-auf-SiC Epi-Wafer für Hochleistungselektronik und HF-Anwendungen. Durchmesser, Epitaxieaufbau und Spezifikationen angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B04

Neodym-Eisen-Bor (NdFeB) Sintermagnete N52

Gesinterte NdFeB-Permanentmagnete Güteklasse N52 für maximale Energiedichte. Abmessungen, Beschichtung (Ni-Cu-Ni/Zn) und Magnetisierungsrichtung auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B05

Neodym-NdFeB-Magnete N52SH Hochtemperatur GBD

Hochtemperaturfeste NdFeB-Magnete N52SH mit Korngrenzendiffusion (GBD) für Betriebstemperaturen bis 150 °C. Form und Toleranzen nach Zeichnung. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B06

Neodym-NdFeB-Magnete N50UH Ultra-Hochtemperatur

Ultrahochtemperaturfeste NdFeB-Magnete Güteklasse N50UH für Einsatztemperaturen bis 180 °C unter extremen Betriebsbedingungen. Spezifikation nach Zeichnung. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B07

Dysprosiumoxid 99,5 % SEE-Konzentrat

Schweres Seltenerdoxid Dysprosiumoxid (Dy2O3 mind. 99,5 % TREO) für Hochleistungsmagnetlegierungen und optische Keramik. Losgröße und Verpackung auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B08

Hochreine Silizium-Wafer 300mm Prime

300mm (12-Zoll) Prime-Silizium-Wafer für moderne Halbleiterprozesse. Leitfähigkeitstyp, Dotierung, Kristallorientierung und Oberflächengüte angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B09

Hochreine Silizium-Wafer 200mm Prime

200mm (8-Zoll) Prime-Silizium-Wafer für MEMS, Leistungselektronik und analoge Schaltkreise. Spezifikationen und Kassettenmengen auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B10

Float-Zone (FZ) Hochohmige Silizium-Substrate

Float-Zone (FZ) hochohmiges monokristallines Silizium für HF-Bauelemente und Detektoren. Spezifischer Widerstand und Dicke nach Vorgabe. Freibleibendes B2B-Angebot.