Säule B: Halbleiter- & Digitalwerkstoffe (IGN-B01..B11)

Name: Siliziumkarbid (SiC) 150mm/200mm Substrate
SKU: IGN-B11

Essential physical inputs for advanced semiconductor fabrication, power electronics, and high-efficiency permanent magnet motors. All materials verified for purity, dual-use compliance, and export documentation.

IGN-B01

Ultra-reines Gallium-Metall 6N (99,9999 % Reinheit)

Ultra-reines Gallium-Metall (99,9999 % 6N) für die Halbleiterepitaxie (GaAs, GaN). Vakuumversiegelte Gebinde und Analysezertifikat (COA) inklusive. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B02

Gallium-Metall 4N (99,99 % Elektronikqualität)

Elektronikfähiges Gallium-Metall 4N (mind. 99,99 % Reinheit) für Legierungen, Target-Herstellung und Synthese. Gebindegröße und Menge auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B03

Galliumnitrid (GaN) Epi-Wafer (6-Zoll / 8-Zoll)

GaN-auf-Si und GaN-auf-SiC Epi-Wafer für Hochleistungselektronik und HF-Anwendungen. Durchmesser, Epitaxieaufbau und Spezifikationen angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B04

Neodym-Eisen-Bor (NdFeB) Sintermagnete N52

Gesinterte NdFeB-Permanentmagnete Güteklasse N52 für maximale Energiedichte. Abmessungen, Beschichtung (Ni-Cu-Ni/Zn) und Magnetisierungsrichtung auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B05

Neodym-NdFeB-Magnete N52SH Hochtemperatur GBD

Hochtemperaturfeste NdFeB-Magnete N52SH mit Korngrenzendiffusion (GBD) für Betriebstemperaturen bis 150 °C. Form und Toleranzen nach Zeichnung. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B06

Neodym-NdFeB-Magnete N50UH Ultra-Hochtemperatur

Ultrahochtemperaturfeste NdFeB-Magnete Güteklasse N50UH für Einsatztemperaturen bis 180 °C unter extremen Betriebsbedingungen. Spezifikation nach Zeichnung. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B07

Dysprosiumoxid 99,5 % SEE-Konzentrat

Schweres Seltenerdoxid Dysprosiumoxid (Dy2O3 mind. 99,5 % TREO) für Hochleistungsmagnetlegierungen und optische Keramik. Losgröße und Verpackung auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B08

Hochreine Silizium-Wafer 300mm Prime

300mm (12-Zoll) Prime-Silizium-Wafer für moderne Halbleiterprozesse. Leitfähigkeitstyp, Dotierung, Kristallorientierung und Oberflächengüte angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B09

Hochreine Silizium-Wafer 200mm Prime

200mm (8-Zoll) Prime-Silizium-Wafer für MEMS, Leistungselektronik und analoge Schaltkreise. Spezifikationen und Kassettenmengen auf Anfrage. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B10

Float-Zone (FZ) Hochohmige Silizium-Substrate

Float-Zone (FZ) hochohmiges monokristallines Silizium für HF-Bauelemente und Detektoren. Spezifischer Widerstand und Dicke nach Vorgabe. Freibleibendes B2B-Angebot.

IGN-B11

Siliziumkarbid (SiC) 150mm/200mm Substrate

Einkristalline 4H-SiC-Substrate (150mm und 200mm) für Leistungshalbleiter mit breitem Bandabstand. Polytyp, Mikroporendichte und Orientierung angeben. Freibleibendes B2B-Angebot.